ZVP0545GTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZVP0545GTA 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥7.148075 +100：￥4.83395 +500：￥3.548325 +1000：￥2.57125 +2000：￥2.442748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.125199 +10：￥2.502345 +30：￥2.24009 +100：￥1.912272 +500：￥1.75929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.045162 +50：￥3.868552 +1000：￥3.226764 +20000：￥3.208937 +30000：￥3.19111	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.26328 +2000：￥2.130583 +5000：￥2.029133 +10000：￥1.935508 +25000：￥1.93177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.536583 +2000：￥5.21197 +5000：￥4.963796 +10000：￥4.734765 +25000：￥4.725621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.573077 +10：￥10.315639 +100：￥8.018196 +500：￥6.796607	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥14.372916 +10：￥11.792326 +100：￥9.179067 +500：￥7.774441 +1000：￥6.320817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA DIODES(美台) 授权代理品牌	P-Channel 450 V 150 ? Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223 下载数据手册未分类	+1000：￥3.07305 +2000：￥3.025033 +3000：￥2.977018 +5000：￥2.929001 +10000：￥2.832969	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ZVP0545GTA DIODES(美台) 授权代理品牌	P-Channel 450 V 150 ? Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223 下载数据手册未分类	+1000：￥3.169082 +3000：￥3.07305 +5000：￥3.025033 +10000：￥2.977018 +20000：￥2.880984	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545GTA DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=450 V, 75 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚下载数据手册未分类	+5：￥6.812693 +250：￥6.607549 +500：￥6.40479	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP0545GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 欧姆 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）