ZXMP6A13FTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.227126 +200：￥1.506813 +800：￥1.106061 +3000：￥0.803198 +6000：￥0.763026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.946693 +50：￥1.549924 +150：￥1.379786 +500：￥1.167579	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP6A13FTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZXMP6A13FTA 下载数据手册未分类	+5：￥0.687544 +50：￥0.543303 +150：￥0.471184 +500：￥0.417094 +3000：￥0.340166	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.244188 +6000：￥1.163918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.74687 +6000：￥2.634425 +9000：￥2.521981 +15000：￥2.473637 +21000：￥2.409536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.332167 +10：￥6.563114 +100：￥5.022543 +500：￥3.84363 +1000：￥3.463459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.332167 +10：￥6.563114 +100：￥5.022543 +500：￥3.84363 +1000：￥3.463459	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥8.206679 +10：￥7.112456 +100：￥5.320664 +500：￥4.171728 +1000：￥3.227961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 400 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13FTA DIODES(美台) 授权代理品牌	Single P-Channel 60 V 806 mW 5.9 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 下载数据手册未分类	+3000：￥1.540885 +6000：￥1.512174 +9000：￥1.493031 +15000：￥1.473891 +30000：￥1.426037	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP6A13FTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	400 毫欧 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	219 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）