ZXMP3A17E6TA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.9126 +100：￥3.674165 +800：￥2.848461 +3000：￥2.064139 +15000：￥1.857713	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册未分类	+1：￥3.812556 +10：￥3.171879 +30：￥2.846289 +100：￥2.531201	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.291321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMP3A17E6TA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.857527 +300：￥0.821797 +15000：￥0.786066 +24000：￥0.771732 +45000：￥0.714605	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.829136 +6000：￥1.720209	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.474551 +6000：￥4.208087	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.567188 +10：￥10.187488 +100：￥7.807155 +500：￥6.171863 +1000：￥4.937517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6
ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.567188 +10：￥10.187488 +100：￥7.807155 +500：￥6.171863 +1000：￥4.937517	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6 下载数据手册未分类	+1：￥10.224373 +10：￥8.477709 +100：￥6.915652 +250：￥6.716845 +500：￥5.467198	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17E6TA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.157907 +6000：￥3.723287	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP3A17E6TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	630 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-6
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）