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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.599872 +100：￥4.75992 +200：￥3.919968 +300：￥3.49992 +500：￥3.219984	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.132301 +10：￥1.736131 +30：￥1.566404 +100：￥1.35456 +500：￥1.260244	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.658531 +2000：￥2.40931 +5000：￥2.243118 +10000：￥2.160091 +25000：￥2.10467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.593932 +2000：￥4.16328 +5000：￥3.876101 +10000：￥3.73263 +25000：￥3.636863	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.772206 +10：￥9.470071 +100：￥7.264728 +500：￥5.742414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.772206 +10：￥9.470071 +100：￥7.264728 +500：￥5.742414	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.925199 +10：￥11.414992 +100：￥8.748319 +500：￥6.925186 +1000：￥5.523822	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 240mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.8V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 72 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVN4525ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	240mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.5 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.8V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	72 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）