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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.096064 +100：￥1.781712 +200：￥1.467216 +500：￥1.310112 +800：￥1.20528	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册	+1：￥1.868139 +10：￥1.575755 +30：￥1.450462 +100：￥1.325064 +500：￥1.241571	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP3306FTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	"ZVP3306FTA" 下载数据手册	+1：￥0.490715 +10：￥0.40457 +30：￥0.361497 +100：￥0.329193 +500：￥0.303349	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： - 漏源电压(Vdss)： - 连续漏极电流(Id)： - 功率(Pd)： - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： - 阈值电压(Vgs(th)@Id)： - 栅极电荷(Qg@Vgs)： - 输入电容(Ciss@Vds)： - 反向传输电容(Crss@Vds)： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.991232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.11941 +6000：￥1.01108 +15000：￥0.93886 +30000：￥0.917194 +75000：￥0.888305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.934335 +6000：￥1.747141 +15000：￥1.622346 +30000：￥1.584907 +75000：￥1.534988	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.43665 +10：￥4.682933 +25：￥4.36909 +100：￥3.244692 +250：￥3.08258	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP3306FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.09A SOT23-3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 90mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50 pF 18 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVP3306FTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	90mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	50 pF 18 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）