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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.35762 +10：￥1.2342 +30：￥1.15192 +100：￥1.0285 +500：￥0.970904	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.6308 +4500：￥1.164816 +9000：￥1.164816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.045077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.182165 +10：￥0.901812 +30：￥0.850308 +100：￥0.798888 +500：￥0.77597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.042776 +10：￥1.558328 +30：￥1.46933 +100：￥1.380476 +500：￥1.340873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.042776 +10：￥1.558328 +30：￥1.46933 +100：￥1.380476 +500：￥1.340873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.042776 +10：￥1.558328 +30：￥1.46933 +100：￥1.380476 +500：￥1.340873	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.530627 +10：￥5.632666 +100：￥4.204091 +500：￥3.30613 +1000：￥2.557829	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 190 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN3A01FTA 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.179869 +10：￥5.336405 +25：￥5.284087 +100：￥3.959556 +250：￥3.918723	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN3A01FTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	190 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）