| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 未分类 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 未分类 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 双极晶体管预偏置 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 双极晶体管预偏置 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 双极晶体管预偏置 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |
| ZXTC2062E6TA | TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 双极晶体管预偏置 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT),卷带(TR) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A 电压 - 集射极击穿(最大值): 20V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A 电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO) 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V 功率 - 最大值: 1.1W 频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz 工作温度: -55°C # 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOT-23-6 供应商器件封装: SOT-26 温度: -55°C # 150°C(TJ) |