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ZXTC2062E6TA_双极晶体管预偏置
ZXTC2062E6TA
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

双极晶体管预偏置

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¥6.329664

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¥5.380272

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¥4.430736

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¥3.956112

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¥3.6396

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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ZXTC2062E6TA_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

双极晶体管预偏置

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¥4.40369

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¥2.852017

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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ZXTC2062E6TA_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

双极晶体管预偏置

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¥3.102077

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

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ZXTC2062E6TA
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TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23

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¥2.579124

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晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

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¥2.234881

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晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

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¥2.724818

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晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

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¥4.832505

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¥4.316784

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¥4.087574

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¥3.877465

库存: 1000 +

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晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

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晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

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封装/外壳: SOT-23-6

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¥3.967412

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电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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¥2.074131

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¥1.964966

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¥1.819413

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¥1.801398

库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V

功率 - 最大值: 1.1W

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工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6

供应商器件封装: SOT-26

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXTC2062E6TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 4A,3.5A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 190mV 200mA, 4A, 250mV 175mA, 3.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 280 1A,2V / 170 1A,2V
功率 - 最大值: 1.1W
频率 - 跃迁: 215MHz,290MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6
供应商器件封装: SOT-26
温度: -55°C # 150°C(TJ)