ZXMN10A07FTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.213963 +10：￥1.120581 +30：￥1.101905 +100：￥1.045876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.836175 +200：￥1.373229 +800：￥1.064679 +3000：￥0.771496 +15000：￥0.694298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.834304 +50：￥2.40911 +150：￥1.984037 +500：￥1.77144 +3000：￥1.629749	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.703015 +50：￥1.350719 +150：￥1.199814 +500：￥1.011537 +3000：￥0.927616	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.048344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.921194 +10：￥1.707728 +100：￥1.280796 +500：￥1.182167 +3000：￥1.062815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.228429 +200：￥1.720346 +1500：￥1.497504 +3000：￥1.301403 +45000：￥1.290752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.909546 +6000：￥0.887204 +9000：￥0.864746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.865748 +6000：￥0.821711 +9000：￥0.763013 +30000：￥0.745433 +75000：￥0.726392	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.11785 +6000：￥2.010122 +9000：￥1.866531 +30000：￥1.823527 +75000：￥1.776948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN10A07FTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	138 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.921194 +10：￥1.707728 +100：￥1.280796 +500：￥1.182167 +3000：￥1.062815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.228429 +200：￥1.720346 +1500：￥1.497504 +3000：￥1.301403 +45000：￥1.290752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.909546 +6000：￥0.887204 +9000：￥0.864746	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）