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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.245572 +10：￥1.142631 +30：￥1.122048 +100：￥1.060286	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.422727 +200：￥2.314609 +800：￥1.699082 +3000：￥1.231175 +6000：￥1.169586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.488365 +50：￥2.073698 +150：￥1.65891 +500：￥1.382425	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.473226 +10：￥2.042291 +30：￥1.857649 +100：￥1.627216 +500：￥1.524707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN2F30FHTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZXMN2F30FHTA 下载数据手册未分类	+10：￥0.445192 +100：￥0.358648 +300：￥0.315376 +3000：￥0.269939 +6000：￥0.243977	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.195722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN2F30FHTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZXMN2F30FHTA TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.376697 +9000：￥0.356775 +30000：￥0.334326 +54000：￥0.328318 +108000：￥0.303972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN2F30FHTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN2F30FHTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.278148 +150：￥0.267503 +15000：￥0.235356 +75000：￥0.231036 +150000：￥0.21396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.969065 +30：￥1.290084 +100：￥1.102159 +500：￥1.001924 +1500：￥0.954177	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZXMN2F30FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.706547 +6000：￥0.663712 +15000：￥0.620877 +30000：￥0.569498 +75000：￥0.548081	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 452 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 960mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN2F30FHTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	452 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	960mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）