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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZX5T949GTA_双极性晶体管
ZX5T949GTA
授权代理品牌

TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223

双极性晶体管

+1:

¥7.615014

+10:

¥6.472774

+30:

¥5.330534

+100:

¥4.759414

+500:

¥4.378627

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
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ZX5T949GTA_未分类
ZX5T949GTA
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TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223

未分类

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¥14.555124

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¥12.664706

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¥10.260707

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¥9.714343

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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ZX5T949GTA_双极性晶体管
ZX5T949GTA
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TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223

双极性晶体管

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¥2.791728

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¥2.556036

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¥2.335856

+6000:

¥2.28191

+10000:

¥2.268945

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

ZX5T949GTA_双极性晶体管
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TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223

双极性晶体管

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¥6.066452

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¥5.012632

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品牌: Diodes Incorporated

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封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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双极性晶体管

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¥8.639275

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¥7.749762

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¥6.051481

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¥5.000239

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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¥9.106547

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¥8.868986

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¥8.710568

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¥7.816393

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¥6.980995

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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双极性晶体管

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¥8.534727

+100:

¥7.0129

+500:

¥5.789131

+1000:

¥4.565361

+2000:

¥4.160915

库存: 1000 +

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封装/外壳: *

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

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库存: 1000 +

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封装/外壳: *

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

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工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

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零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

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温度: -55°C # 150°C (TJ)

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TRANS PNP 30V 5.5A SOT-223

双极性晶体管

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¥5.688703

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¥5.3667

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V

功率 - 最大值: 3 W

频率 - 跃迁: 110MHz

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C (TJ)

ZX5T949GTA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 5.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 30 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 210mV 500mA, 5.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 20nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1A, 1V
功率 - 最大值: 3 W
频率 - 跃迁: 110MHz
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)