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自营 现货库存
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ZHB6718TA_null
ZHB6718TA
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

+1:

¥25.329412

+10:

¥22.226067

+30:

¥20.379359

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV 50mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2A,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ZHB6718TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

双极晶体管预偏置

+1:

¥15.784416

+10:

¥15.351053

+30:

¥15.067701

+100:

¥14.784347

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV 50mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2A,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZHB6718TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

双极晶体管预偏置

+1:

¥27.275418

+10:

¥26.526569

+30:

¥26.036935

+100:

¥25.547303

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV 50mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2A,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZHB6718TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

双极晶体管预偏置

+1:

¥27.275418

+10:

¥26.526569

+30:

¥26.036935

+100:

¥25.547303

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing

供应商器件封装: SM-8

Mouser
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ZHB6718TA_晶体管
ZHB6718TA
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 20V 2.5A SOT223

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV 50mA,2.5A

电流 - 集电极截止(最大值): 100µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2A,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZHB6718TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2.5A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 200mV 50mA,2.5A
电流 - 集电极截止(最大值): 100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2A,2V
功率 - 最大值: 1.25W
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-223-8
供应商器件封装: SM8
温度: -55°C # 150°C(TJ)