品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

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工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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零件状态： 在售

晶体管类型： NPN，PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 30V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 375mV 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 180 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1W

频率 - 跃迁： -

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-26

温度： -55°C # 150°C（TJ）