品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 75 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 460mV 200mA，5A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 1A，2V

功率 - 最大值： 4 W

频率 - 跃迁： 140MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）