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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥4.680147 +10：￥4.320136 +30：￥4.248141 +100：￥4.032131	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册	+1：￥6.673061 +10：￥5.739469 +30：￥5.283282 +100：￥4.933185 +500：￥4.604306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.01586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥3.751862 +2000：￥3.539492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥6.483204 +2000：￥6.116231	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥14.209424 +10：￥12.751414 +100：￥9.940418 +500：￥8.212057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥10.786319 +10：￥7.906127 +30：￥7.373292 +100：￥6.854857 +500：￥6.61004	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 200V 2A 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 200 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 275mV 400mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，5V 功率 - 最大值： 1.25 W 频率 - 跃迁： 105MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXTP03200BGTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	2 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	200 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	275mV 400mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）:	50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 1A，5V
功率 - 最大值:	1.25 W
频率 - 跃迁:	105MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）