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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥2.615415 +100：￥1.768657 +500：￥1.29833 +1000：￥0.940775 +2000：￥0.893706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+5：￥3.429261 +50：￥2.286174 +150：￥1.905145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥1.087261 +10：￥0.878778 +30：￥0.789503 +100：￥0.677962 +500：￥0.62839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥0.939686	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥0.956051 +2000：￥0.871694 +5000：￥0.815456 +10000：￥0.795825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.338754 +2000：￥2.132393 +5000：￥1.99482 +10000：￥1.946799	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥5.970183 +10：￥5.165506 +100：￥3.852066 +500：￥3.026623	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥5.970183 +10：￥5.165506 +100：￥3.852066 +500：￥3.026623	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXTN5551GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.428565 +10：￥5.443764 +100：￥4.062307 +500：￥3.200605 +1000：￥2.462003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 600 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 160 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 200mV 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 80 10mA，5V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 130MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXTN5551GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	600 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	200mV 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	80 10mA，5V
功率 - 最大值:	2 W
频率 - 跃迁:	130MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）