品牌： Diodes Incorporated

包装： 带盒（TB）,剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3.5 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 210mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 20nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3，成型引线

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： E-Line-3, Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 210mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 20nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1A, 1V

Frequency - Transition： 120MHz

Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible)

Current - Collector (Ic) (Max)： 3.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 1 W

Packaging： Tape & Box (TB)

Package / Case： E-Line-3, Formed Leads

Mounting Type： Through Hole

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 210mV @ 400mA, 4A

Current - Collector Cutoff (Max)： 20nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 100 @ 1A, 1V

Frequency - Transition： 120MHz

Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible)

Current - Collector (Ic) (Max)： 3.5 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 60 V

Power - Max： 1 W