品牌： Diodes Incorporated

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 200°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 4 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 400mA，4A

电流 - 集电极截止（最大值）： 50nA（ICBO）

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 1A，1V

功率 - 最大值： 1.2 W

频率 - 跃迁： 120MHz

工作温度： -55°C # 200°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： E-Line-3

供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）

温度： -55°C # 200°C（TJ）