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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZXTP5240F-7_双极性晶体管
授权代理品牌

SS MID-PERF TRANSISTOR SSOT23

双极性晶体管

+1:

¥2.650181

+10:

¥2.020972

+100:

¥1.258753

+500:

¥0.861259

+1000:

¥0.662512

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 730 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZXTP5240F-7_双极性晶体管
授权代理品牌

SS MID-PERF TRANSISTOR SSOT23

双极性晶体管

+3000:

¥0.951619

+6000:

¥0.910021

+15000:

¥0.806024

+30000:

¥0.795625

+75000:

¥0.675978

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 730 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXTP5240F-7_双极性晶体管
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SS MID-PERF TRANSISTOR SSOT23

双极性晶体管

+1:

¥5.065969

+10:

¥3.805655

+25:

¥3.430032

+100:

¥1.810158

+250:

¥1.790635

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

ZXTP5240F-7_双极性晶体管
授权代理品牌

SS MID-PERF TRANSISTOR SSOT23

双极性晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23

Mouser
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ZXTP5240F-7_晶体管
ZXTP5240F-7
授权代理品牌

SS MID-PERF TRANSISTOR SSOT23

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 730 mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: SOT-23-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXTP5240F-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V
功率 - 最大值: 730 mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)