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自营 现货库存
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ZXTN26070CV-7_null
ZXTN26070CV-7
授权代理品牌

TRANS NPN 70V 2A SOT666

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¥1.769793

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¥0.684917

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¥0.660835

+1000:

¥0.648953

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,5V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZXTN26070CV-7_双极性晶体管
授权代理品牌
+3000:

¥1.733279

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,5V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZXTN26070CV-7_双极性晶体管
授权代理品牌
+3000:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,5V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Mouser
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ZXTN26070CV-7_晶体管
ZXTN26070CV-7
授权代理品牌

TRANS NPN 70V 2A SOT666

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,5V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 200MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-666

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXTN26070CV-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 70 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 330mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 100mA,5V
功率 - 最大值: 600 mW
频率 - 跃迁: 200MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-666
温度: -55°C # 150°C(TJ)