品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 120 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： 380 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 91.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 120 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： 380 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 91.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 120 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： 380 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 91.2 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.5 V 200 mA

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： GL41（DO-213AB）

温度： -55°C # 150°C