ZXMP6A17DN8TA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 ZXMP6A17DN8TA 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.825321 +100：￥7.34833 +200：￥5.697043 +500：￥4.128278 +2500：￥3.715426	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 637pF 30V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 637pF 30V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.5995 +10：￥6.264 +30：￥5.83875 +100：￥5.40675 +500：￥5.21775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 637pF 30V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.036655 +10：￥15.323404 +30：￥14.28313 +100：￥13.226343 +500：￥12.763999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 637pF 30V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.036655 +10：￥15.323404 +30：￥14.28313 +100：￥13.226343 +500：￥12.763999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.036655 +10：￥15.323404 +30：￥14.28313 +100：￥13.226343 +500：￥12.763999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥21.557761 +10：￥15.107017 +100：￥11.326116 +500：￥8.905016 +1000：￥7.744213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 637pF 30V 功率 - 最大值： 1.81W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMP6A17DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	637pF 30V
功率 - 最大值:	1.81W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）