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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZXMN3AMCTA_射频晶体管
ZXMN3AMCTA
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN3020B-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ZXMN3AMCTA_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN3020B-8

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ZXMN3AMCTA_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

射频晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN3020B-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-VDFN Exposed Pad

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射频晶体管

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¥12.36024

+10:

¥10.726415

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安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

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Mouser
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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘

供应商器件封装: DFN3020B-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZXMN3AMCTA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 2.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 190pF 25V
功率 - 最大值: 1.7W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: DFN3020B-8
温度: -55°C # 150°C(TJ)