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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.807592 +6000：￥3.617213 +10000：￥3.481227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥9.314379 +6000：￥8.848659 +10000：￥8.516003	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 450V 45MA E-LINE 下载数据手册未分类	+2000：￥11.011592 +4000：￥10.457754 +10000：￥10.06681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 450 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 欧姆 50mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP0545ASTZ 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 450V 0.045A 3-Pin E-Line T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥14.238421 +4000：￥14.096671 +6000：￥13.954919 +8000：￥13.815921 +10000：￥13.676923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP0545ASTZ参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	带盒（TB）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	450 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 欧姆 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳:	E-Line-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）