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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+10：￥3.674649 +200：￥2.748273 +800：￥2.130689 +3000：￥1.7545 +6000：￥1.666775	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 279pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.531831 +6000：￥1.426187 +15000：￥1.373366 +30000：￥1.320544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 279pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.747264 +6000：￥3.488832 +15000：￥3.359617 +30000：￥3.2304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 279pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 下载数据手册晶体管	+3000：￥4.640779	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.8nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 279pF 10V 功率 - 最大值： 1.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2088DE6TA 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥6.165389 +6000：￥6.103911 +9000：￥6.042436 +12000：￥5.982326 +15000：￥5.922216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN2088DE6TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.8nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	279pF 10V
功率 - 最大值:	1.1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6
供应商器件封装:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）