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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.25045 +100：￥6.2557 +200：￥4.59195 +500：￥3.3275 +1000：￥3.161125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 50V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥6.698417 +10：￥5.704035 +30：￥5.168599 +100：￥4.556672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 50V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥2.766788 +1000：￥2.184282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 50V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥6.768298 +1000：￥5.343332	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 50V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.75949 +10：￥10.506006 +100：￥8.192876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.75949 +10：￥10.506006 +100：￥8.192876	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A08DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥12.005796 +10：￥10.832503 +100：￥8.649631 +500：￥7.135263 +1000：￥5.634539	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 405pF 50V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN10A08DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	405pF 50V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）