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ZMY9V1-GS18_稳压二极管
ZMY9V1-GS18
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DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

稳压二极管

+1:

¥1.949862

+200:

¥0.778022

+500:

¥0.752014

+1000:

¥0.73923

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 4 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

温度: 175°C

自营 国内现货
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ZMY9V1-GS18_稳压二极管
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DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

稳压二极管

+5000:

¥0.609056

+10000:

¥0.539436

+25000:

¥0.532485

+50000:

¥0.45247

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¥0.435065

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 4 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

温度: 175°C

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ZMY9V1-GS18_稳压二极管
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DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

稳压二极管

+5000:

¥1.48991

+10000:

¥1.319602

+25000:

¥1.302599

+50000:

¥1.10686

+125000:

¥1.064283

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 4 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

温度: 175°C

ZMY9V1-GS18_稳压二极管
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稳压二极管

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¥5.857912

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¥4.600605

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¥2.758935

+500:

¥2.554049

+1000:

¥1.736801

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-213AB, MELF (Glass)

供应商器件封装: DO-213AB

ZMY9V1-GS18_稳压二极管
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¥2.758935

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¥2.554049

+1000:

¥1.736801

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 175°C

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-213AB, MELF (Glass)

供应商器件封装: DO-213AB

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ZMY9V1-GS18_未分类
ZMY9V1-GS18
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DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB

未分类

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¥6.696472

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¥5.242849

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¥3.152243

+500:

¥2.90725

+1000:

¥1.976276

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 4 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 7 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

温度: 175°C

ZMY9V1-GS18参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 9.1 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 4 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA 7 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)
供应商器件封装: DO-213AB
温度: 175°C