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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | ZXMD65P02N8TA 授权代理品牌 | 1+: |
ZXMD65P02N8TA参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 20V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 50 毫欧 2.9A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 700mV 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 20nC 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 960pF 15V |
功率 - 最大值: | 1.75W |
工作温度: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | - |