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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZXMD65P02N8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960pF 15V

功率 - 最大值: 1.75W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -

Digi-Key
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ZXMD65P02N8TA_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960pF 15V

功率 - 最大值: 1.75W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -

ZXMD65P02N8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

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安装类型: Surface Mount

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封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.9A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960pF 15V

功率 - 最大值: 1.75W

工作温度: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

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ZXMD65P02N8TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 2.9A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 700mV 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 960pF 15V
功率 - 最大值: 1.75W
工作温度: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -