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ZM4735A-GS08_稳压二极管
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DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB

稳压二极管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 2 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

温度: 175°C

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ZM4735A-GS08
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DIODE ZENER 6.2V 1W DO213AB

稳压二极管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 2 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

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ZM4735A-GS08_稳压二极管
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国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 2 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

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品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V

容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

阻抗(最大值)(Zzt): 2 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

供应商器件封装: DO-213AB

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零件状态: 在售

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功率 - 最大值: 1 W

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

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零件状态: 在售

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系列: Automotive, AEC-Q101

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容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

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工作温度: 175°C

安装类型: 表面贴装型

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国内:1~2 天

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零件状态: 在售

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容差: ±5%

功率 - 最大值: 1 W

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不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V

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封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)

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货期:7~10 天

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货期:7~10 天

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安装类型: Surface Mount

封装/外壳: DO-213AB, MELF (Glass)

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ZM4735A-GS08参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 6.2 V
容差: ±5%
功率 - 最大值: 1 W
阻抗(最大值)(Zzt): 2 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): -
工作温度: 175°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-213AB,MELF(玻璃)
供应商器件封装: DO-213AB
温度: 175°C