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ZXMP3A16DN8TA_射频晶体管
ZXMP3A16DN8TA
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

射频晶体管

+10:

¥12.698345

+100:

¥8.58737

+200:

¥6.303495

+500:

¥4.56775

+1000:

¥4.339423

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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ZXMP3A16DN8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

射频晶体管

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¥4.35842

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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ZXMP3A16DN8TA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

射频晶体管

+500:

¥3.574804

+1000:

¥2.912015

+2500:

¥2.87186

+5000:

¥2.610809

+12500:

¥2.490297

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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ZXMP3A16DN8TA_射频晶体管
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MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

射频晶体管

+500:

¥8.744916

+1000:

¥7.123559

+2500:

¥7.025331

+5000:

¥6.386729

+12500:

¥6.091927

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

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MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥19.409534

+10:

¥17.397744

+25:

¥16.508022

+100:

¥12.381016

+250:

¥12.262292

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOP

Mouser
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ZXMP3A16DN8TA_未分类
ZXMP3A16DN8TA
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MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC

未分类

+1:

¥21.337366

+10:

¥19.285696

+100:

¥15.045578

+500:

¥12.36473

+1000:

¥9.752271

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V

功率 - 最大值: 1.8W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

ZXMP3A16DN8TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45mOhm 4.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29.6nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1022pF 15V
功率 - 最大值: 1.8W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C (TJ)