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搜索 ZXMD63N03XTA 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.502735 +100：￥6.42631 +500：￥4.717185 +1000：￥3.41825 +2000：￥3.247398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.357629 +10：￥2.798004 +30：￥2.238379 +100：￥1.865336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册	+1：￥4.04309 +10：￥3.365599 +30：￥3.026854 +100：￥2.688108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥6.99364 +2000：￥6.577116	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	+1000：￥17.108296 +2000：￥16.089368	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥34.852148 +10：￥31.26776 +100：￥25.131799 +500：￥20.648056	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 135mOhm 1.7A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 290pF 25V 功率 - 最大值： 1.04W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP 温度： -55°C # 150°C (TJ)

ZXMD63N03XTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	135mOhm 1.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA (Min)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	290pF 25V
功率 - 最大值:	1.04W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width)
供应商器件封装:	8-MSOP
温度:	-55°C # 150°C (TJ)