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自营 现货库存
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ZXMP6A16DN8QTA_未分类
ZXMP6A16DN8QTA
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1021pF 30V

功率 - 最大值: 1.81W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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ZXMP6A16DN8QTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

射频晶体管

+500:

¥4.26701

+1000:

¥3.911852

+1500:

¥3.730741

+2500:

¥3.527053

+3500:

¥3.406416

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1021pF 30V

功率 - 最大值: 1.81W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
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ZXMP6A16DN8QTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

射频晶体管

+500:

¥10.438235

+1000:

¥9.569427

+1500:

¥9.12638

+2500:

¥8.628106

+3500:

¥8.332996

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1021pF 30V

功率 - 最大值: 1.81W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

ZXMP6A16DN8QTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥21.265055

+10:

¥17.425106

+100:

¥13.554559

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

ZXMP6A16DN8QTA_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

射频晶体管

+1:

¥21.265055

+10:

¥17.425106

+100:

¥13.554559

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

Mouser
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ZXMP6A16DN8QTA_晶体管
ZXMP6A16DN8QTA
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC

晶体管

+1:

¥23.050301

+10:

¥18.904562

+100:

¥14.692495

+500:

¥11.309573

+1000:

¥10.298013

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1021pF 30V

功率 - 最大值: 1.81W

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 150°C (TJ)

艾睿
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ZXMP6A16DN8QTA_未分类
ZXMP6A16DN8QTA
授权代理品牌

Trans MOSFET P-CH 60V 2.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

未分类

+500:

¥8.449328

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
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ZXMP6A16DN8QTA_未分类
ZXMP6A16DN8QTA
授权代理品牌
+500:

¥5.245297

+1000:

¥5.102244

+1500:

¥5.054559

+2000:

¥5.006874

+2500:

¥4.816138

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

ZXMP6A16DN8QTA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 P-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85mOhm 2.9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA (Min)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1021pF 30V
功率 - 最大值: 1.81W
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 150°C (TJ)