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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥12.572263 +100：￥8.502065 +200：￥6.240938 +500：￥4.522375 +1000：￥4.296226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.540126 +10：￥4.960981 +30：￥4.655017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥7.023698 +1000：￥5.819588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥17.181825 +1000：￥14.236253	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥28.901781 +10：￥26.011604 +100：￥20.912704	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.3A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 8.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24.2nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1407pF 40V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A09DN8TA 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+500：￥10.834095 +1000：￥9.941723 +2500：￥9.758966 +5000：￥9.576208 +10000：￥9.494824	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN6A09DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	24.2nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1407pF 40V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）