 | | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP 射频晶体管 | | | 系列: * 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP 射频晶体管 | | | 品牌: Diodes Incorporated 包装: 剪切带(CT) 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 在售 FET 类型: - FET 功能: - 漏源电压(Vdss): - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): - 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): - 功率 - 最大值: - 工作温度: - 安装类型: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - 温度: - |
 | | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP 射频晶体管 | | | 系列: * 安装类型: - 工作温度: - 封装/外壳: - 供应商器件封装: - |