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ZXMC4A16DN8TA参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 和 P 沟道互补型 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.2A(Ta),4.7A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 50 毫欧 4.5A,10V,60 毫欧 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250mA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 770pF 40V,1000pF 20V |
功率 - 最大值: | 2.1W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |