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ZXMHN6A07T8TA_射频晶体管
ZXMHN6A07T8TA
授权代理品牌

MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 166pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 166pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

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货期:7~10 天

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漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 166pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

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安装类型: Surface Mount

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FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 166pF 40V

功率 - 最大值: 1.6W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

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ZXMHN6A07T8TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
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FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 166pF 40V
功率 - 最大值: 1.6W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-223-8
供应商器件封装: SM8
温度: -55°C # 150°C(TJ)