ZXMN2A04DN8TA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 ZXMN2A04DN8TA 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.638781 +10：￥3.56229 +30：￥3.507654 +100：￥3.453017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥8.399625 +1000：￥8.322566 +1500：￥8.245504 +2500：￥8.168444 +5000：￥8.091383	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	ZXMN2A04DN8TA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN2A04DN8TA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+9：￥1.324555 +4000：￥1.218517 +12000：￥1.165497 +20000：￥1.112594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥9.608057 +1000：￥9.313557 +1500：￥9.127642 +2500：￥8.891602 +5000：￥8.503682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥19.368026 +100：￥15.536952 +500：￥13.1958 +1000：￥11.493101 +2500：￥10.553033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥15.851246 +1000：￥13.13384 +2500：￥12.227993 +5000：￥11.775204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.767245 +10：￥23.997763 +100：￥19.293618	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥27.593957 +10：￥24.861882 +100：￥19.944147 +500：￥16.938864 +1000：￥14.753204	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 5.9A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA (Min) 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22.1nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1880pF 10V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C (TJ)

ZXMN2A04DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25mOhm 5.9A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA (Min)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22.1nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1880pF 10V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C (TJ)