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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.665944 +10：￥4.545744 +30：￥4.469253	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.28nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥4.167482 +1000：￥3.394892 +2500：￥3.195903 +5000：￥3.043698 +12500：￥2.903233	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.28nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥10.194766 +1000：￥8.304805 +2500：￥7.818025 +5000：￥7.445691 +12500：￥7.102075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.28nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+58：￥3.275212 +100：￥3.138821 +300：￥3.002429 +500：￥2.865873 +1000：￥2.729481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+58：￥3.275212 +100：￥3.138821 +300：￥3.002429 +500：￥2.865873 +1000：￥2.729481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+58：￥3.275212 +100：￥3.138821 +300：￥3.002429 +500：￥2.865873 +1000：￥2.729481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥21.396046 +10：￥17.639489 +100：￥13.735936 +500：￥11.890322 +1000：￥9.685386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.4A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 70 毫欧 3.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.28nC 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 15V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A17DN8TA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+500：￥8.483386 +1000：￥7.420006 +2500：￥7.113795 +10000：￥6.726859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP3A17DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	70 毫欧 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.28nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	630pF 15V
功率 - 最大值:	2.1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）