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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥13.875675 +100：￥9.38355 +200：￥6.887925 +500：￥4.99125 +1000：￥4.741748	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.096919 +10：￥10.9142 +30：￥8.73136 +100：￥7.276093	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.053398 +10：￥6.676562 +30：￥5.988144 +100：￥5.310653 +500：￥4.906344	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP6A18DN8TA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMP6A18DN8TA 下载数据手册未分类	+1：￥2.611618 +10：￥2.546054 +30：￥2.502345 +100：￥2.458636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZXMP6A18DN8TA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZXMP6A18DN8TA 下载数据手册未分类	+1：￥3.529508 +10：￥2.797381 +30：￥2.491418 +100：￥2.098036 +500：￥1.726509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥5.230238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥12.794548	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.259885 +10：￥19.87102 +100：￥15.488266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥22.259885 +10：￥19.87102 +100：￥15.488266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥24.452071 +10：￥21.993204 +100：￥17.621884 +500：￥14.479997 +1000：￥12.00747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1580pF 30V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMP6A18DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1580pF 30V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）