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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZVN4424ASTZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
ZVN4424ASTZ
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 240 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±40V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 750mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

封装/外壳: E-Line-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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ZVN4424ASTZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2000:

¥2.750062

+6000:

¥2.619053

+10000:

¥2.498163

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 240 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±40V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 750mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

封装/外壳: E-Line-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZVN4424ASTZ_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2000:

¥6.727381

+6000:

¥6.406898

+10000:

¥6.111168

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 240 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±40V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 750mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

封装/外壳: E-Line-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZVN4424ASTZ_未分类
ZVN4424ASTZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

未分类

+1:

¥16.002099

+10:

¥13.130294

+100:

¥10.215627

+500:

¥8.65885

+1000:

¥7.053496

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: E-Line-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA

Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V

Vgs (Max): ±40V

Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

ZVN4424ASTZ_未分类
ZVN4424ASTZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

未分类

+2000:

¥6.640158

+6000:

¥6.323831

+10000:

¥6.031934

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Box (TB)

Package / Case: E-Line-3

Mounting Type: Through Hole

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA

Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V

Vgs (Max): ±40V

Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZVN4424ASTZ_未分类
ZVN4424ASTZ
授权代理品牌

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

未分类

+1:

¥18.292803

+10:

¥15.0099

+100:

¥11.677995

+500:

¥9.897714

+1000:

¥8.068434

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 带盒(TB)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 240 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 欧姆 500mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±40V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 200 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 750mW(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)

封装/外壳: E-Line-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZVN4424ASTZ_未分类
ZVN4424ASTZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line Box

未分类

+2000:

¥5.99861

+4000:

¥5.953386

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

ZVN4424ASTZ参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 带盒(TB)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5.5 欧姆 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 750mW(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: E-Line(TO-92 兼容)
封装/外壳: E-Line-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)