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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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ZXMC3A16DN8TC 授权代理品牌 | +1: ¥22.866004 +10: ¥18.782788 +100: ¥14.536245 +500: ¥12.314977 +1000: ¥10.044709 |
ZXMC3A16DN8TC参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.9A,4.1A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 35 毫欧 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17.5nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 796pF 25V |
功率 - 最大值: | 1.25W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |