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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥11.899503 +100：￥8.047105 +200：￥5.906978 +500：￥4.280375 +1000：￥4.066326	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册	+1：￥11.595637 +10：￥10.205858 +30：￥9.33592 +100：￥8.603899 +500：￥8.115885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.317941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+20：￥7.394112 +50：￥5.911488 +500：￥5.379264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥3.081963 +1000：￥2.510538 +2500：￥2.363367 +5000：￥2.250832 +12500：￥2.146983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥7.539298 +1000：￥6.141442 +2500：￥5.781421 +5000：￥5.50613 +12500：￥5.252091	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.978567 +10：￥11.439603 +100：￥8.894933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.978567 +10：￥11.439603 +100：￥8.894933	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC 下载数据手册晶体管	+1：￥15.979532 +10：￥13.077126 +100：￥10.174722 +500：￥8.609382 +1000：￥7.011428	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.1A，3.4A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 7.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 25V 功率 - 最大值： 1.25W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMC3A17DN8TA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+500：￥5.973764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMC3A17DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.1A，3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 7.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600pF 25V
功率 - 最大值:	1.25W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）