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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥8.157215 +100：￥5.51639 +200：￥4.049265 +500：￥2.93425 +1000：￥2.787598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥13.200142 +10：￥11.64847 +30：￥10.675943 +100：￥9.681561 +500：￥9.233543	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥3.015499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥7.37671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.622984 +10：￥11.116369 +100：￥8.519835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥14.427166 +10：￥12.486961 +100：￥8.639717 +500：￥7.213584 +1000：￥6.135691	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA（最小）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 330pF 40V 功率 - 最大值： 1.8W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SO 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN6A11DN8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	330pF 40V
功率 - 最大值:	1.8W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SO
温度:	-55°C # 150°C（TJ）