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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.343745 +10：￥3.256326 +30：￥3.20169	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 459 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.88962 +1000：￥3.824793 +2000：￥3.759966 +4000：￥3.695139	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 459 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.448241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 459 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.989044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 459 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 下载数据手册未分类	+1000：￥5.634623 +2000：￥5.304341 +5000：￥5.051753 +10000：￥4.956568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 4.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 459 pF @ 40 V Qualification： AEC-Q101
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥12.846061 +10：￥10.493531 +100：￥8.16112 +500：￥6.917064	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 4.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 459 pF @ 40 V Qualification： AEC-Q101
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥12.846061 +10：￥10.493531 +100：￥8.16112 +500：￥6.917064	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Digi-Reel® Package / Case： TO-261-4, TO-261AA Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 4.8A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-223-3 Grade： Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 459 pF @ 40 V Qualification： AEC-Q101

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60VSOT223 下载数据手册晶体管	+1：￥14.514605 +10：￥11.856508 +100：￥9.233387 +500：￥7.816901 +1000：￥6.138104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 4.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 459 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN6A08GQTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	80 毫欧 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	459 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）