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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.433328 +100：￥4.350555 +500：￥3.193553 +1000：￥2.314125 +2000：￥2.198449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.414927 +10：￥2.36029 +30：￥2.327509 +100：￥2.283799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.730403 +50：￥3.618505 +1000：￥3.015382 +20000：￥2.996512 +30000：￥2.996512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.335119 +2000：￥2.198216 +5000：￥2.093554 +10000：￥1.996951 +25000：￥1.993096	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.712321 +2000：￥5.37742 +5000：￥5.121387 +10000：￥4.88507 +25000：￥4.87564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.001705 +10：￥10.629966 +100：￥8.272515 +500：￥7.012349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.001705 +10：￥10.629966 +100：￥8.272515 +500：￥7.012349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3 下载数据手册未分类	+1：￥14.699574 +10：￥12.135316 +100：￥9.456727 +500：￥8.003101 +1000：￥6.026827	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥5.113555 +2000：￥4.833696 +5000：￥4.588658 +10000：￥4.511278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424ZTA DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, 240V, 0.2A, SOT-89 下载数据手册未分类	+1：￥8.561792 +10：￥7.075961 +100：￥5.517062 +500：￥4.664535 +1000：￥4.554924	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP4424ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）