ZXMN2F34FHTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.094147 +100：￥1.415942 +800：￥1.041447 +3000：￥0.754798 +6000：￥0.717046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 277 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册	+1：￥1.452796 +10：￥1.218868 +30：￥1.118613 +100：￥1.018358 +500：￥0.951521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 277 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.741417 +6000：￥0.696482 +15000：￥0.651548 +30000：￥0.597605 +75000：￥0.575138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 277 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.813702 +6000：￥1.703779 +15000：￥1.593859 +30000：￥1.4619 +75000：￥1.406938	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 277 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.336313 +10：￥5.165471 +100：￥3.518031 +500：￥2.63811 +1000：￥1.978584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.336313 +10：￥5.165471 +100：￥3.518031 +500：￥2.63811 +1000：￥1.978584	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F34FHTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥7.869363 +10：￥4.983931 +100：￥2.902922 +1000：￥2.046034 +3000：￥1.748748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 277 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN2F34FHTA 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥6.377426 +10：￥5.211764 +25：￥4.855321 +100：￥3.491482 +250：￥3.265783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN2F34FHTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	277 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	950mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）