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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.307125 +200：￥4.26525 +800：￥3.130875 +3000：￥2.26875 +6000：￥2.155373	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.420986 +10：￥5.457826 +30：￥4.494666 +100：￥4.013086 +500：￥3.692073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.933817 +10：￥3.256326 +30：￥2.972217 +100：￥2.611618 +500：￥2.185454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.200264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.207663 +100：￥2.563329 +750：￥2.297191 +1500：￥2.171126 +3000：￥2.059068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.655651 +6000：￥1.572099	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.050162 +6000：￥3.845771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.615785 +10：￥9.133285 +100：￥6.296919 +500：￥5.013976 +1000：￥4.592193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-3 Flat Leads 供应商器件封装： SOT-23F
ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.615785 +10：￥9.133285 +100：￥6.296919 +500：￥5.013976 +1000：￥4.592193	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-3 Flat Leads 供应商器件封装： SOT-23F

Mouser

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	ZXMP2120FFTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V SOT23F-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.432143 +10：￥9.899989 +100：￥6.832152 +500：￥5.439191 +1000：￥4.991452	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 137mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 28 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23F 封装/外壳： SOT-23-3 扁平引线温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMP2120FFTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	137mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	28 欧姆 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23F
封装/外壳:	SOT-23-3 扁平引线
温度:	-55°C # 150°C（TJ）