ZVN3310ASTZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZVN3310ASTZ 共 10 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.860983	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.552456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册未分类	+2000：￥4.300142 +4000：￥3.992639 +6000：￥3.916451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： E-Line-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 1mA Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 40 pF @ 25 V
ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册未分类	+1：￥17.746417 +10：￥11.091511 +100：￥7.292861 +500：￥5.662026 +1000：￥5.136671	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： E-Line-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 10Ohm @ 500mA, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 1mA Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 40 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE 下载数据手册未分类	+1：￥12.437169 +10：￥10.032651 +100：￥6.93165 +500：￥5.522104 +1000：￥5.057783	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 0.2A 3-Pin E-Line Box 下载数据手册未分类	+2000：￥3.804431	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 0.2A, E-LINE 下载数据手册未分类	+1：￥6.790972 +10：￥5.497454 +100：￥3.790011 +500：￥3.570112 +1000：￥3.350214	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+5：￥12.963336 +10：￥5.380273 +25：￥4.45432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310ASTZ DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 100V, 0.2A, E-LINE 下载数据手册未分类	+1：￥7.500591 +10：￥6.056694 +100：￥4.178354 +500：￥3.335016 +1000：￥3.322238	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN3310ASTZ参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	40 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳:	E-Line-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）