ZXMN10A25KTC厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZXMN10A25KTC 共 11 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册	+1：￥5.266944 +10：￥4.414617 +30：￥3.988454 +100：￥3.573217 +500：￥3.32189	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 859 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC 授权代理品牌	ZXMN10A25KTC UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+500：￥1.152995 +1000：￥1.110626 +2000：￥1.055754	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZXMN10A25KTC 授权代理品牌	ZXMN10A25KTC VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.837845 +10：￥1.791888 +30：￥1.745931 +50：￥1.699972 +80：￥1.654015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 859 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.197905 +5000：￥3.045605 +12500：￥2.905051	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 859 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.822923 +5000：￥7.450357 +12500：￥7.106524	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 859 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.87143 +10：￥15.468854 +100：￥12.034827 +500：￥10.201151 +1000：￥8.310006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.87143 +10：￥15.468854 +100：￥12.034827 +500：￥10.201151 +1000：￥8.310006	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 下载数据手册晶体管	+1：￥21.572784 +10：￥17.323599 +100：￥13.744479 +500：￥11.652573 +1000：￥9.495295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17.16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 859 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A25KTC Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥8.431764 +5000：￥8.266314 +10000：￥8.216365 +15000：￥8.166417 +20000：￥8.122713	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMN10A25KTC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17.16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	859 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.11W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）