ZXMP3A16N8TA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZXMP3A16N8TA 共 7 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.250199 +100：￥5.422373 +200：￥4.203903 +500：￥3.046296 +2500：￥2.741618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1022 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.876049	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1022 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥2.892017 +1000：￥2.283171 +2500：￥2.130959 +5000：￥2.024411 +12500：￥1.948306	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1022 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+500：￥7.074639 +1000：￥5.585241 +2500：￥5.212892 +5000：￥4.952246 +12500：￥4.766073	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1022 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.275253 +10：￥10.979532 +100：￥8.564035	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC 下载数据手册未分类	+1：￥14.193688 +10：￥12.742062 +100：￥10.645267 +500：￥8.774282 +1000：￥7.742013	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1022 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.9W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP3A16N8TA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SOIC T/R 下载数据手册未分类	+500：￥5.712418 +1000：￥4.960211 +2500：￥4.731278 +10000：￥4.464189	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP3A16N8TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	29.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1022 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.9W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）