ZVP4525E6TA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.420921 +200：￥4.054347 +800：￥3.143217 +3000：￥2.277704 +15000：￥2.049982	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 197mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册未分类	+1：￥2.092179 +10：￥1.716701 +30：￥1.555796 +100：￥1.355086 +500：￥1.265705	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 197mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.113305 +6000：￥1.958459 +9000：￥1.887916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 197mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥5.169704 +6000：￥4.79091 +9000：￥4.618341	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 197mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.615755 +10：￥11.764625 +100：￥8.146506 +500：￥6.80696 +1000：￥5.793122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6
ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.615755 +10：￥11.764625 +100：￥8.146506 +500：￥6.80696 +1000：￥5.793122	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-23-6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525E6TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6 下载数据手册未分类	+1：￥13.886015 +10：￥12.301046 +100：￥9.425658 +500：￥7.46198 +1000：￥5.975194	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 197mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-6 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525E6TA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 250V 0.197A 6-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥4.055632 +6000：￥3.929993 +9000：￥3.844559 +24000：￥3.819431	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP4525E6TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	197mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	73 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-6
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）